Elpida и Sharp объединились в погоне за мемристором
http://www.fcenter.ru/online.shtml?hardnews/2010/10/13

Энергонезависимая память типа ReRAM — resistive random access memory — это сравнительно новое слово в способе запоминать цифровые данные. Формально днём рождения ReRAM можно считать 30 апреля 2008 года, когда компания HP анонсировала разработку «четвёртого электротехнического элемента» — мемристора. Под действием управляемого электричества ячейка мемристора могла в широких пределах менять своё сопротивление, удерживая его таким, каким оно было в момент снятия напряжения. Теоретически скорость переключения ReRAM в десять тысяч раз выше скорости переключения NAND-флэш, что обещает более чем достойную замену современной памяти для SSD и флэш-карточек.
                                 
                 Массив мемристоров — это простое пересечение проводников

О небывалой перспективности ReRAM можно судить хотя бы по тому факту, что HP для разработки коммерческого воплощения новой памяти взяла в партнёры южнокорейскую компанию Hynix, обещая первую ReRAM-продукцию уже в 2013 году. Более того, как сообщает агентство Reuters, на память ReRAM решили сделать ставку японские компании Elpida и Sharp. Совместно с Токийским Университетом и организацией National Institute of Advanced Industrial Science and Technology партнёры обещают выпустить собственную ReRAM память уже в начале 2013 года! Если это произойдёт, пожалуй, ReRAM побьёт все рекорды по скорости внедрения. С момента первой практической реализации до коммерческого внедрения пройдёт всего пять лет.
Автор: GreenCo